Специалисты Донского государственного технического университета (ДГТУ) и Российской академии наук (РАН) приступили к разработке радиационно-устойчивой микросхемы, способной выдержать облучение в 10 тыс. раз больше, чем обычная электроника. Об этом «Газете.Ru» сообщили в пресс-службе ДГТУ.

Разработкой занимаются и. о. декана факультета «Кораблестроение и морская техника» ДГТУ Илья Пахомов и коллектив Научно-исследовательской лаборатории проблем проектирования в экстремальной микроэлектронике ИППМ РАН.

Отмечается, что разрабатываемая микросхема ИС-3 способна работать при температуре от минус 190 до плюс 100 градусов Цельсия, а также при радиационном фоне мощностью до 1 млн рад. При этом, как пояснили в ДГТУ, обычные микросхемы способны работать при температуре от минус 40 до плюс 85 градусов Цельсия, а нормальной дозой радиации для них является 100 рад.

При создании ИС-3 будут использоваться радиационно-стойкие материалы, производимые в Белоруссии, а также «специальная схемотехника». ИС-3 предназначается для изготовления датчиков, которые впоследствии будут использоваться «в устройствах автоматики различного назначения».

«Радиационно-стойкие интегральные схемы (ИС) находят применение в наукоемких областях техники, в том числе, ядерной электронике, космической аппаратуре, научном приборостроении, криогенных измерительных и медицинских приборах», – объяснили в пресс-службе ДГТУ.

Там также добавили, что потенциально ИС-3 может применяться в судах, эксплуатируемых в условиях Крайнего Севера и арктической зоны, в космических спутниках связи, а также на объектах ядерной энергетики. Устойчивые к радиации микросхемы критически необходимы для дальнейшего развития и нормального функционирования космической аппаратуры и оборудования на АЭС.

Информации о том, когда устойчивые к экстремальным условиям микросхемы начнут использоваться на практике, нет.

Ранее «Газета.Ru» писала о том, что в России синтезировали новые селенсодержащие вещества для противовоспалительных средств.